DGIST, 고경력 인력 앞세워 반도체 팹 고도화 시동

나노·소재기술개발사업-기반구축 기관 선정

공정기술 개발…장비 안정화

MPW·파운드리 서비스 고도화

대구경북과학기술원(DGIST)이 반도체 공공팹 고도화를 위한 정부 사업에 선정되며 차세대 반도체 연구지원 역량 강화에 나선다.

DGIST는 차세대센서·반도체연구소가 2026년도 나노·소재기술개발사업-기반구축(팹고도화)의 반도체 기술개발 지원 고경력 전문인력 활용 사업 신규과제에 선정됐다고 29일 밝혔다.

과학기술정보통신부와 한국연구재단이 주관하는 이번 사업은 반도체 산업 현장에서 10년 이상 노하우를 축적한 고경력 전문인력의 역량을 공공팹 운영 및 기술개발에 접목하기 위해 추진된다.

주관연구개발기관인 DGIST는 이들의 전문성을 활용해 ▲반도체 공정기술 개발 및 팹 운영 효율화 ▲장비 및 팹설비 운영 안정화 ▲소자·설계·분석·특성평가·MPW 제작 지원 ▲반도체 기술개발 관련 자문 및 현장 기술지원 등 공공팹 기반의 산·학·연 기술지원 강화를 주도할 예정이다.

이를 통해 기존 공공팹의 단위공정 중심 지원체계를 넘어, 연구자와 기업이 신뢰성 있는 반도체 연구개발 및 실증을 수행할 수 있도록 공공팹 기반 전주기 기술지원 체계를 구축할 계획이다.

사업 규모는 6년간 총 72억원으로, DGIST는 주관연구개발기관으로서 이 중 42억원의 연구비를 수주했다. 서울대는 공동연구개발기관으로 참여할 예정이다.

김대환 소장은 “사업은 산업 현장에서 오랜 경험을 축적한 고경력 전문인력의 노하우를 공공팹 기술개발과 운영 고도화에 직접 연결한다는 점에서 의미가 크다”며 “기존에 구축한 6인치 Si CMOS 기반 MPW 및 연구용 파운드리 역량을 바탕으로 서울대와 공정 연계 협력을 강화하고, 국가 반도체 연구생태계 활성화에 기여하겠다”고 밝혔다.