삼성 “HBM5E부터 차세대 D램 ‘1d’ 적용…베이스 다이 2나노 제조”
||2026.03.17
삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 새로운 10나노미터(㎚)급 D램인 '1d'을 탑재한다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 삼성전자 전시장에서 “전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표”라며 “공급이 약간 부족한 상황이면 프리미엄 제품으로 공급을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 좋다”고 예고했다.
차세대 제품 공정도 예고했다. 황 부사장은 현재 양산을 시작한 6세대 HBM4와 후속 제품인 7세대 HBM4E의 가장 밑단에 들어가는 D램 '베이스 다이'는 같은 4㎚ 공정이지만, 후속작인 HBM5는 삼성 파운드리의 2㎚ 공정으로 개발할 예정이라고 밝혔다.
또 황 부사장은 HBM5E에 쓰이는 적층용 핵심 D램은 1d를 쓰게 된다면서 “원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다”고 설명했다.
즉 HBM4와 HBM4E는 1c 및 4㎚의 베이스 다이를 적용하지만, HBM5부터는 차세대 기술을 활용하겠다는 전략이다. 특히 HBM5E에 적용되는 1d D램은 현재 삼성전자가 개발 중인 제품으로 아직 상용화는 이뤄지지 않았다. 삼성전자 내부적으로는 1d D램 역시 우수한 성능과 테스트 수율을 확보한 것으로 전해진다.
삼성전자는 1d D램에 대한 개발 작업이 완료되면 빠른 양산 전환 절차를 밟을 예정이다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
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