SK하이닉스, 日 의존 EUV PR 국산화 추진…동진쎄미켐과 협력
||2025.12.07
SK하이닉스가 일본이 장악한 극자외선(EUV) 포토레지스트(PR) 국산화에 착수했다. 첨단 반도체 필수 소재 공급망을 강화하는 동시에 반도체 제조 경쟁력 향상을 위해서다.
7일 업계에 따르면 SK하이닉스는 동진쎄미켐과 협력해 고성능 EUV PR 개발에 착수한 것으로 파악됐다. 그동안 일본 JSR과 도쿄오카공업(TOK) 등이 공급하던 EUV PR을 대체하는 것을 넘어, 그 이상 성능을 내는 소재 개발이 목표다.
이 사안에 정통한 관계자는 “일본 제품보다 더 좋은 성능을 낼 수 있는 소재를 필요로 한다”면서 “구체적으로 생산성 향상을 위한 PR 감도 개선을 요구한 것으로 안다”고 말했다.
SK하이닉스는 2023년 계열사 SK머티리얼즈 퍼포먼스를 통해 EUV PR을 국산화한 바 있다. 하지만 이 때 만든 제품은 저사양으로 알려졌다. 핵심 반도체 레이어에 사용하는 고성능 PR은 그간 일본에 100% 의존해왔다.
PR은 노광 공정에서 사용되는 재료다. 웨이퍼에 빛을 조사(노광)해 반도체 미세회로를 새겨넣을 때 웨이퍼 표면에서 빛에 반응하는 물질이 PR이다. EUV는 10나노미터(㎚) 안팎 초미세 회로 구현에 필수인 노광 기술로, 네덜란드 ASML이 전 세계 유일 EUV 노광 장비를 공급하고 있다.
SK하이닉스가 EUV PR 개발을 추진하는 건 1대당 2000억원에 달하는 노광 장비 활용을 극대화하고 빠르게 늘어나는 D램에서의 EUV 레이어 수요에 대응하기 위해서다.
반도체 업계에 따르면 PR 감도를 높이면 노광 시간이 줄어 든다. 반응 속도가 빠르기 때문에 짧은 시간에 미세 회로 구현이 가능하다. 이는 같은 장비를 쓰더라도 PR에 따라 생산능력이 달라진다는 얘기다.
또 D램에서 EUV 공정이 늘어나면서 PR 개발 필요성이 커졌다. 세대별 EUV 레이어는 10나노급 4세대(1a) 1개, 5세대(1b) 3개, 6세대(1c) 5개, 7세대(1d) 7개다. 10나노 미만 제품에서는 더 늘어날 전망이다.
소재 개발에는 상당 시간이 걸리는 데다, EUV PR은 진입 장벽이 높다. SK하이닉스와 동진쎄미켐의 협력이 어떤 결과를 낳을 지 예상하기 어렵다. 당연히 상용화에 성공할 경우 국내 소재 산업 경쟁력을 한 단계 끌어 올리는 계기가 될 수 있다.
SK하이닉스 관계자는 “구체적인 개발 내용은 공개할 수 없다”면서도 “소재사를 비롯한 다양한 업체들과 생산성 개선을 위한 협력을 이어가고 있다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
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